在昨日的臺(tái)積電線上法說會(huì)上，臺(tái)積電總裁魏哲家指出，不評(píng)論競爭對(duì)手的技術(shù)藍(lán)圖，不過，相信臺(tái)積電持續(xù)擁有最具競爭力的技術(shù)乃至 2 納米技術(shù)，可以相信到 2025 年該技術(shù)的密度與效能將居領(lǐng)先。
魏哲家還指出，臺(tái)積電的 N3/N3E 技術(shù)仍會(huì)是最佳 PPA（Performance，Power，Area；效能、功耗及面積） 與最具競爭力的技術(shù)，并成為下一個(gè)長期成長動(dòng)能的節(jié)點(diǎn)。
這跟三星此前公布的時(shí)間線相同。三星電子 10 月 7 日在晶圓代工論壇上表示，2025 年將開始量產(chǎn) 2 納米芯片，明年上半開始生產(chǎn)客戶設(shè)計(jì)的 3 納米芯片，第二代的 3 納米芯片則預(yù)期在 2023 年生產(chǎn)。三星表示，公司的 GAA 電晶體結(jié)構(gòu)先進(jìn)制程技術(shù)已經(jīng)發(fā)展完備，明年可為客戶量產(chǎn) 3 納米芯片，2025 年量產(chǎn) 2 納米芯片。GAA 制程生產(chǎn)的 3 納米芯片與 5 納米相較，性能增強(qiáng) 30%，功耗減少 50%。
三星計(jì)劃量產(chǎn)第一代 3 納米芯片的時(shí)間大約也與臺(tái)積電計(jì)劃大批量生產(chǎn)這些芯片的時(shí)間相同。臺(tái)積電總裁魏哲家今年 6 月時(shí)表示，3 納米工藝將于 2022 年下半年開始量產(chǎn)。
原創(chuàng)文章，作者：若安丶，如若轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明出處：http://2079x.cn/article/538972.html
