SK 海力士宣布大規(guī)模量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn) 36GB 最大容量

SK 海力士今日宣布,公司全球率先開(kāi)始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量;公司將在年內(nèi)向客戶提供此次產(chǎn)品。

9 月 26 日消息,SK 海力士今日宣布,公司全球率先開(kāi)始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量;公司將在年內(nèi)向客戶提供此次產(chǎn)品。

SK 海力士宣布大規(guī)模量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn) 36GB 最大容量

首次消息影響,SK 海力士股價(jià)在韓國(guó)漲超 8%,市值超過(guò) 120.34 萬(wàn)億韓元(當(dāng)前約 6351.55 億元人民幣)。

據(jù)介紹,SK 海力士還堆疊 12 顆 3GB DRAM 芯片,實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有的 8 層產(chǎn)品相同的厚度,同時(shí)容量提升 50%。為此,公司將單個(gè) DRAM 芯片制造得比以前薄 40%,并采用硅通孔技術(shù)(TSV)技術(shù)垂直堆疊。

此外,SK 海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊更多時(shí)產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)性問(wèn)題。公司將其核心技術(shù)先進(jìn) MR-MUF 工藝應(yīng)用到此次產(chǎn)品中,散熱性能較上一代提升了 10%,并增強(qiáng)了控制翹曲問(wèn)題,從而確保穩(wěn)定性和可靠性。

SK 海力士表示,12 層 HBM3E 在面向 AI 的存儲(chǔ)器所需要的速度、容量、穩(wěn)定性等所有方面都已達(dá)到全球最高水平。12 層 HBM3E的運(yùn)行速度可達(dá) 9.6Gbps,在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語(yǔ)言模型時(shí)每秒可讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數(shù)的水平。

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