SK 海力士宣布大規(guī)模量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實現(xiàn) 36GB 最大容量

9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量；公司將在年內(nèi)向客戶提供此次產(chǎn)品。

首次消息影響，SK 海力士股價在韓國漲超 8%，市值超過 120.34 萬億韓元（當前約 6351.55 億元人民幣）。

據(jù)介紹，SK 海力士還堆疊 12 顆 3GB DRAM 芯片，實現(xiàn)與現(xiàn)有的 8 層產(chǎn)品相同的厚度，同時容量提升 50%。為此，公司將單個 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%，并采用硅通孔技術（TSV）技術垂直堆疊。

此外，SK 海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊更多時產(chǎn)生的結(jié)構性問題。公司將其核心技術先進 MR-MUF 工藝應用到此次產(chǎn)品中，散熱性能較上一代提升了 10%，并增強了控制翹曲問題，從而確保穩(wěn)定性和可靠性。

SK 海力士表示，12 層 HBM3E 在面向 AI 的存儲器所需要的速度、容量、穩(wěn)定性等所有方面都已達到全球最高水平。12 層 HBM3E的運行速度可達 9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數(shù)的水平。