8 月 16 日消息，首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)昨日（8 月 15 日）報(bào)道，三星將于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期間，安裝首臺(tái)來自 ASML 的 High-NA EUV 光刻機(jī)，并預(yù)估 2025 年年中投入使用。
報(bào)道稱三星將在其華城園區(qū)內(nèi)安裝首臺(tái) ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻機(jī)，主要用于研發(fā)目的，開發(fā)用于邏輯和 DRAM 的下一代制造技術(shù)。
三星計(jì)劃圍繞高 High-NA EUV 技術(shù)開發(fā)一個(gè)強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng)：除了收購(gòu)高 NA EUV 光刻設(shè)備外，三星還與日本 Lasertec 公司合作開發(fā)專門用于 High-NA 光掩膜的檢測(cè)設(shè)備。
有媒體報(bào)道，三星已經(jīng)購(gòu)買了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜檢測(cè)工具 Actis A300。
三星電子半導(dǎo)體研究所的 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻與圖案化研討會(huì)上表示：“與傳統(tǒng)的 [EUV 專用工具] 相比，使用 [High-NA EUV 專用工具] 檢測(cè)半導(dǎo)體掩膜可將對(duì)比度提高 30% 以上”。
報(bào)道還稱三星還與光刻膠制造商 JSR 和蝕刻機(jī)制造商?hào)|京電子公司合作，準(zhǔn)備在 2027 年之前將高納 EUV 工具投入商業(yè)應(yīng)用。
三星還與新思科技（Synopsys）合作，在光掩膜上從傳統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向曲線圖案。這一轉(zhuǎn)變有望提高電路壓印在晶片上的精度，這對(duì)進(jìn)一步完善工藝技術(shù)至關(guān)重要。
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