中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

近日,據(jù)外媒 Tomshardware 報道,中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲,日前再次將美光告上法院,在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。

中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品,并支付專利使用費。

長江存儲指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品(Y2BM 系列),侵犯了長江存儲在美國提交的 11 項專利或?qū)@暾垺?/p>

2023 年 11 月,長江存儲就曾在美起訴美光專利侵權(quán),涉 8 項專利;2024 年 6 月,長江存儲在美起訴美光資助的咨詢公司,指控其散布虛假信息。

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