近日，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。
長江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專利使用費(fèi)。
長江存儲(chǔ)指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品（Y2BM 系列），侵犯了長江存儲(chǔ)在美國提交的 11 項(xiàng)專利或?qū)＠暾垺?/p>
2023 年 11 月，長江存儲(chǔ)就曾在美起訴美光專利侵權(quán)，涉 8 項(xiàng)專利；2024 年 6 月，長江存儲(chǔ)在美起訴美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。
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