5月27日消息，關于三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片未能通過英偉達測試的傳聞引發(fā)了行業(yè)的熱議。一些“知情人士”聲稱，三星的芯片面臨發(fā)熱和功耗等問題。
5月27日消息，關于三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片未能通過英偉達測試的傳聞引發(fā)了行業(yè)的熱議。一些“知情人士”聲稱，三星的芯片面臨發(fā)熱和功耗等問題。
然而，韓國媒體Business Korea報道稱，三星電子已經(jīng)發(fā)布聲明否認了這些報道。他們聲稱正在與多家全球合作伙伴一起進行順利的HBM芯片測試，并與其他商業(yè)伙伴合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。
三星最近開始批量生產(chǎn)第五代HBM芯片，即24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的HBM3E產(chǎn)品。與競爭對手SK海力士和美光不同的是，三星在這些HBM3E產(chǎn)品上仍然采用1a nm顆粒而非1b nm制程DRAM裸片，這導致其在能耗方面存在一定劣勢。加上此次負面報道的影響，一些分析師開始懷疑三星是否有能力迅速奪回來自SK海力士的市場份額。
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