近日，美國商務部與全球領先的半導體制造商臺積電達成不具約束力的初步備忘錄，旨在支持后者在亞利桑那州鳳凰城建設第三座晶圓廠。根據(jù)美國《芯片法案》，美國政府將向臺積電提供高達66億美元的直接資金補貼，以推動其在美國的半導體產(chǎn)業(yè)投資。
臺積電此次在美國的投資計劃總金額將超過650億美元，預計在未來十年內(nèi)將為亞利桑那州創(chuàng)造6000個直接工作崗位和數(shù)以萬計的間接崗位，同時還將帶動超過20000個單次建筑業(yè)相關崗位。美國政府也計劃利用《芯片法案》資金，投入5000萬美元用于培訓和發(fā)展當?shù)亟ㄖ桶雽w行業(yè)的勞動力，以支持這一重要項目的實施。
據(jù)悉，臺積電在美國的首座晶圓廠將采用4nm FinFET工藝，預計于2025年上半年開始量產(chǎn)。第二座晶圓廠則計劃在3nm工藝的基礎上，引入更為先進的2nm GAA工藝，計劃于2028年投產(chǎn)。而此次新建設的第三座晶圓廠，將根據(jù)市場及客戶需求，提供2nm或更先進的制程技術，進一步鞏固臺積電在全球半導體市場的領先地位。
此外，美國政府還計劃為臺積電提供最高可達50億美元的貸款，以支持其在美國的晶圓廠建設。臺積電方面也計劃向美國財政部申請符合條件的資本支出25%的投資稅收抵免，以降低其在美國的投資成本。
臺積電此舉不僅標志著其在美國業(yè)務的進一步擴張，也體現(xiàn)了美國政府對半導體產(chǎn)業(yè)的重視和支持。此前，英特爾等知名企業(yè)也獲得了類似的資金扶持，共同推動美國在全球半導體市場的競爭力。
業(yè)界分析人士認為，隨著全球半導體市場的快速發(fā)展和競爭的加劇，臺積電在美國設立晶圓廠將進一步鞏固其在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位，同時也將促進美國半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，實現(xiàn)雙贏。
臺積電此次在美國的投資計劃，無疑將為全球半導體市場帶來新的機遇和挑戰(zhàn)。未來，隨著技術的不斷進步和市場的不斷擴大，半導體產(chǎn)業(yè)將迎來更加廣闊的發(fā)展前景。
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