據(jù)外媒報(bào)道，根據(jù)最新iPhone 16消息顯示，蘋果或許棄用TLC，將采用速度更慢的QLC閃存，如果消息確認(rèn)，那么蘋果這招真心讓人摸不著頭腦。
據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，蘋果可能會(huì)改變存儲(chǔ)容量，不再使用三層單元（TLC）NAND 閃存，而是在存儲(chǔ)容量達(dá)到或超過(guò)1TB的機(jī)型上使用四層單元（QLC）NAND閃存。
與TLC相比，QLC的優(yōu)勢(shì)在于每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)四位數(shù)據(jù)，在使用相同數(shù)量的單元時(shí)比TLC儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù)，或者使用更少的單元儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù)，而這可以降低生產(chǎn)成本。
此外，QLC閃存被認(rèn)為不如TLC閃存可靠，寫入數(shù)據(jù)的耐久性會(huì)降低，因?yàn)槊總€(gè)單元寫入的次數(shù)更多，因?yàn)槊總€(gè)單元多包含一個(gè)位。
QLC NAND閃存可以存儲(chǔ)16種不同的電荷電平，而TLC僅能存儲(chǔ)8種電荷電平。讀取數(shù)據(jù)時(shí)，由于電荷量增加，裕量減少，這就有可能因噪聲增加而導(dǎo)致位錯(cuò)誤增加。
如果蘋果執(zhí)意執(zhí)行這項(xiàng)計(jì)劃，或許未來(lái)一些iPhone 16的用戶會(huì)遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量的情況，但目前消息尚未確認(rèn)，讓我們期待更多有關(guān)iPhone 16消息，一起來(lái)看看吧。
原創(chuàng)文章，作者：聆聽(tīng)，如若轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明出處：http://2079x.cn/article/620423.html
