據(jù)外媒報道，根據(jù)最新iPhone 16消息顯示，蘋果或許棄用TLC，將采用速度更慢的QLC閃存，如果消息確認，那么蘋果這招真心讓人摸不著頭腦。
據(jù)供應鏈最新消息，蘋果可能會改變存儲容量，不再使用三層單元（TLC）NAND 閃存，而是在存儲容量達到或超過1TB的機型上使用四層單元（QLC）NAND閃存。
與TLC相比，QLC的優(yōu)勢在于每個存儲單元可以存儲四位數(shù)據(jù)，在使用相同數(shù)量的單元時比TLC儲存更多的數(shù)據(jù)，或者使用更少的單元儲存更多的數(shù)據(jù)，而這可以降低生產成本。
此外，QLC閃存被認為不如TLC閃存可靠，寫入數(shù)據(jù)的耐久性會降低，因為每個單元寫入的次數(shù)更多，因為每個單元多包含一個位。
QLC NAND閃存可以存儲16種不同的電荷電平，而TLC僅能存儲8種電荷電平。讀取數(shù)據(jù)時，由于電荷量增加，裕量減少，這就有可能因噪聲增加而導致位錯誤增加。
如果蘋果執(zhí)意執(zhí)行這項計劃，或許未來一些iPhone 16的用戶會遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量的情況，但目前消息尚未確認，讓我們期待更多有關iPhone 16消息，一起來看看吧。
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