三星在 2023 年內(nèi)存技術(shù)日活動中推出了名為 Shinebolt 的 HBM3E 內(nèi)存。該公司的 HBM3E 內(nèi)存是當(dāng)前 HBM3 內(nèi)存的升級版，為內(nèi)存帶寬和速度提供了新的基準(zhǔn)。它旨在與用于服務(wù)器和高端計算的高端處理器和 GPU 一起使用。該公司還公布了有關(guān)GDDR7 VRAM、LPDDR5X CAMM 內(nèi)存和可拆卸 AutoSSD 開發(fā)的更多信息。
三星的 HBM3E 內(nèi)存據(jù)稱比美光和 SK 海力士的類似芯片更快
這家韓國公司的Shinebolt HBM3E DRAM 內(nèi)存旨在用于數(shù)據(jù)中心的人工智能模型訓(xùn)練和其他幾種高性能應(yīng)用。它提供每個引腳 9.8Gbps 的數(shù)據(jù)傳輸速度，這意味著它可以達(dá)到高達(dá) 1.2TBps 的傳輸速率。三星優(yōu)化了其 NCF（非導(dǎo)電膜）技術(shù)，消除了芯片層之間的間隙，從而提高了導(dǎo)熱性。
三星正在使用其第四代基于 EUV 的10 納米級 (14 納米) 節(jié)點制造其 24GBit HBM 內(nèi)存芯片。利用其 8Hi 和 12Hi 堆棧，該公司可以生產(chǎn) 24GB 和 36GB 容量，比 HBM3 內(nèi)存容量高 50%。該公司宣傳的最低帶寬為 8Gbps/pin，提供單個 HBM3E 堆棧，最低帶寬為 1TB/秒，最大帶寬為 1.225TB/秒，高于其競爭對手的 Micron 和 SK Hynix。
該公司的HBM3E內(nèi)存目前正處于樣品階段，正在發(fā)送給客戶進(jìn)行測試，這些內(nèi)存芯片將于2024年某個時候開始量產(chǎn)。
三星公布有關(guān) HBM4 內(nèi)存開發(fā)的更多細(xì)節(jié)
三星還透露，將為 HBM4 內(nèi)存采用更先進(jìn)的芯片制造和封裝技術(shù)。雖然 HBM4 規(guī)范尚未獲得批準(zhǔn)，但據(jù)透露，業(yè)界正在尋求使用更寬的（2,048 位）內(nèi)存接口。該公司希望使用 FinFET 晶體管而不是平面晶體管來降低功耗。
這家韓國存儲芯片制造商希望在封裝方面從微凸塊接合轉(zhuǎn)向無凸塊（直接銅對銅）接合。即使在邏輯芯片制造領(lǐng)域，這項技術(shù)也相對較新，因此 HBM4 可能成本太高。
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