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EUV光刻機(jī)，這一代表著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域高精尖技術(shù)的設(shè)備，其研發(fā)歷程可謂歷盡艱辛，技術(shù)難度極高。從上世紀(jì)80年代開始，EUV光源的研發(fā)就吸引了全球科研人員的目光。當(dāng)時(shí)，科研人員致力于探索4nm至40nm的多個(gè)波長(zhǎng)，力求找到最適合光刻技術(shù)的光源。與此同時(shí)，電子束光刻機(jī)、離子束光刻等技術(shù)也在同步研發(fā)中，各種技術(shù)路線競(jìng)爭(zhēng)激烈。