三星電子amsung披露了該公司在內(nèi)存芯片方面的最新開發(fā)進展，并展現(xiàn)了三星對于存儲芯片密度極限和開發(fā)突破性材料的雄心。
三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培（Lee Jung-Bae）稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代 V-NAND 閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。此外，該公司還正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 11nm 級 DRAM 芯片。
他表示，三星正在為 DRAM 開發(fā) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)和新材料；對于 NAND 閃存，三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。
他提到，“在即將到來的 10nm 以下 DRAM 和超過 1000 層的 V-NAND 芯片時代，新結(jié)構(gòu)和新材料非常重要”。
當(dāng)然，AI 芯片對三星電子來說也至關(guān)重要。該公司目前已經(jīng)開始生產(chǎn) HBM3 高性能內(nèi)存芯片。此外，它還在開發(fā)下一代 HBM3E。
李政培說，三星希望為客戶生產(chǎn)“定制”的 HBM 芯片?！拔覀冋龑Ｗ⒂谇‘?dāng)?shù)貞?yīng)對與超級規(guī)模 AI 等新應(yīng)用相關(guān)的要求”，“我們將繼續(xù)推進內(nèi)存芯片生產(chǎn)線，以克服多樣化的需求和長內(nèi)存芯片的交付周期?！?br>三星電子將于 10 月 20 日在硅谷舉辦三星存儲器技術(shù)日 2023 活動，屆時這家韓國芯片制造商將推出一些最新的存儲器芯片技術(shù)和產(chǎn)品，
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