近日，格芯宣布已獲得3000萬美元（約2.16億元人民幣）的政府聯(lián)邦資金，將用于在佛蒙特州Essex Junction工廠開發(fā)和生產(chǎn)高級半導(dǎo)體。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。
這筆資金將用于開發(fā)和實(shí)施氮化鎵半導(dǎo)體，即通常所說的 GaN 芯片。據(jù)該公司稱，這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無線基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱，電動汽車普及、電網(wǎng)升級改造以及 5G、6G 智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來需求。
GlobalFoundries 總裁兼首席執(zhí)行官 Thomas Caulfield 博士在一份聲明中說：“有了這筆新的聯(lián)邦資金，以及在 2023 年聯(lián)邦預(yù)算中可能獲得的進(jìn)一步支持，GF 完全有能力在佛蒙特州成為氮化鎵芯片制造的全球領(lǐng)導(dǎo)者。”
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