消息稱(chēng)聯(lián)電擬在新加坡建新12英寸晶圓廠

近日有市場(chǎng)消息稱(chēng),聯(lián)電計(jì)劃投資約229億元人民幣在新加坡建設(shè)第二座12英寸晶圓廠,月產(chǎn)能至少2萬(wàn)~3萬(wàn)片,可能生產(chǎn)40nm以下制程的芯片。

近日有市場(chǎng)消息稱(chēng),聯(lián)電計(jì)劃投資約229億元人民幣在新加坡建設(shè)第二座12英寸晶圓廠,月產(chǎn)能至少2萬(wàn)~3萬(wàn)片,可能生產(chǎn)40nm以下制程的芯片。

據(jù)報(bào)道,聯(lián)電對(duì)此回應(yīng)稱(chēng),新加坡本來(lái)就有設(shè)廠,在全球有據(jù)點(diǎn)的地方持續(xù)評(píng)估建廠規(guī)劃,不過(guò)目前還沒(méi)有確切地點(diǎn)。

據(jù)了解,聯(lián)電新加坡廠 Fab 12i 位于白沙晶圓科技園區(qū),于 2004 年開(kāi)始量產(chǎn),月產(chǎn)能為 5 萬(wàn)片,制程為 0.13 微米至 40nm,產(chǎn)品涵蓋 FPGA、無(wú)線通訊芯片等。

業(yè)界人士認(rèn)為,聯(lián)電此次可能采 40nm 以下制程,如 28nm 制程生產(chǎn)芯片。

據(jù)悉,晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求,聯(lián)電 5 月 1 日、7 月 1 日代工報(bào)價(jià)已漲過(guò)兩波。

由于產(chǎn)能不足,聯(lián)電計(jì)劃擴(kuò)充在臺(tái)南科學(xué)園區(qū) Fab 12A P6 廠區(qū)產(chǎn)能,將采用 28nm 制程,月產(chǎn)能 2.75 萬(wàn)片,客戶(hù)將以議定價(jià)格預(yù)先支付訂金,預(yù)計(jì)新產(chǎn)能將于 2023 年第 2 季度開(kāi)出。

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