臺積電投資逾4000億新臺幣采購EUV光刻機,未來兩年將接收超60臺

臺積電投資逾4000億新臺幣采購EUV光刻機,未來兩年將接收超60臺

據(jù)臺灣《工商時報》報道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺積電計劃在未來兩年(2024年至2025年)內(nèi)接收超過60臺極紫外(EUV)光刻機,以滿足其日益增長的芯片制造需求。據(jù)估算,臺積電今明兩年在EUV光刻機上的投入將超過4000億新臺幣(約合896.61億元人民幣)。

當前,ASML(Advanced Semiconductor Materials Lithography)的EUV光刻機供應(yīng)緊張,從下單到交付的整體周期已達到16至20個月。臺積電已分別計劃在今年和明年下達約30臺和35臺的EUV光刻機訂單,預(yù)計大部分訂單將從2026年開始陸續(xù)交付。

在ASML的產(chǎn)能規(guī)劃中,預(yù)計2025年將生產(chǎn)20臺High-NA EUV光刻機、90臺EUV光刻機和600臺DUV(深紫外)光刻機。然而,根據(jù)臺積電官方路線圖,其目前已規(guī)劃的最先進工藝16A將于2026年量產(chǎn),該工藝仍將采用傳統(tǒng)的0.33NA EUV光刻機。這表明,臺積電在近期內(nèi)并未考慮在量產(chǎn)制程中導(dǎo)入High-NA EUV光刻機。

盡管ASML已確認將在2024年內(nèi)向臺積電交付High-NA EUV光刻機,但這一設(shè)備將主要用于制程開發(fā)目的,而非直接用于量產(chǎn)。臺積電方面也表示,目前沒有在2025年至2026年間引入量產(chǎn)用High-NA EUV光刻機的規(guī)劃。

EUV光刻機是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵設(shè)備,其精度和效率對于提高芯片性能和降低成本至關(guān)重要。臺積電此次大規(guī)模采購EUV光刻機,將進一步加強其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位,并為其未來的技術(shù)發(fā)展奠定堅實基礎(chǔ)。

分析人士指出,隨著全球半導(dǎo)體市場的競爭日益激烈,臺積電通過加大投資和技術(shù)創(chuàng)新,不斷提升自身在高端芯片制造領(lǐng)域的競爭力。同時,這也將對整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生積極影響,推動相關(guān)設(shè)備和材料的發(fā)展和應(yīng)用。

展望未來,臺積電將繼續(xù)致力于半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新,為全球客戶提供更先進、更可靠的芯片產(chǎn)品。同時,隨著新一代技術(shù)的不斷涌現(xiàn),臺積電也將積極應(yīng)對市場變化,不斷調(diào)整和優(yōu)化自身的業(yè)務(wù)布局和發(fā)展戰(zhàn)略。

原創(chuàng)文章,作者:小科同學,如若轉(zhuǎn)載,請注明出處:http://2079x.cn/article/664558.html

小科同學的頭像小科同學

相關(guān)推薦

發(fā)表回復(fù)

登錄后才能評論