據(jù)臺灣《工商時報》報道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺積電計劃在未來兩年（2024年至2025年）內(nèi)接收超過60臺極紫外（EUV）光刻機(jī)，以滿足其日益增長的芯片制造需求。據(jù)估算，臺積電今明兩年在EUV光刻機(jī)上的投入將超過4000億新臺幣（約合896.61億元人民幣）。
當(dāng)前，ASML（Advanced Semiconductor Materials Lithography）的EUV光刻機(jī)供應(yīng)緊張，從下單到交付的整體周期已達(dá)到16至20個月。臺積電已分別計劃在今年和明年下達(dá)約30臺和35臺的EUV光刻機(jī)訂單，預(yù)計大部分訂單將從2026年開始陸續(xù)交付。
在ASML的產(chǎn)能規(guī)劃中，預(yù)計2025年將生產(chǎn)20臺High-NA EUV光刻機(jī)、90臺EUV光刻機(jī)和600臺DUV（深紫外）光刻機(jī)。然而，根據(jù)臺積電官方路線圖，其目前已規(guī)劃的最先進(jìn)工藝16A將于2026年量產(chǎn)，該工藝仍將采用傳統(tǒng)的0.33NA EUV光刻機(jī)。這表明，臺積電在近期內(nèi)并未考慮在量產(chǎn)制程中導(dǎo)入High-NA EUV光刻機(jī)。
盡管ASML已確認(rèn)將在2024年內(nèi)向臺積電交付High-NA EUV光刻機(jī)，但這一設(shè)備將主要用于制程開發(fā)目的，而非直接用于量產(chǎn)。臺積電方面也表示，目前沒有在2025年至2026年間引入量產(chǎn)用High-NA EUV光刻機(jī)的規(guī)劃。
EUV光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵設(shè)備，其精度和效率對于提高芯片性能和降低成本至關(guān)重要。臺積電此次大規(guī)模采購EUV光刻機(jī)，將進(jìn)一步加強(qiáng)其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位，并為其未來的技術(shù)發(fā)展奠定堅實(shí)基礎(chǔ)。
分析人士指出，隨著全球半導(dǎo)體市場的競爭日益激烈，臺積電通過加大投資和技術(shù)創(chuàng)新，不斷提升自身在高端芯片制造領(lǐng)域的競爭力。同時，這也將對整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生積極影響，推動相關(guān)設(shè)備和材料的發(fā)展和應(yīng)用。
展望未來，臺積電將繼續(xù)致力于半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新，為全球客戶提供更先進(jìn)、更可靠的芯片產(chǎn)品。同時，隨著新一代技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，臺積電也將積極應(yīng)對市場變化，不斷調(diào)整和優(yōu)化自身的業(yè)務(wù)布局和發(fā)展戰(zhàn)略。
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